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3nm单片机芯片工艺“战鼓”敲响
点击次数:23次        更新时间:2018-12-24

3nm单片机芯片工艺的“战鼓”敲响了,深圳单片机开发方案公司英锐恩分享芯资讯。早前,三星宣布提速3nm单片机芯片工艺,且台积电相关人员在月初表示3nm单片机芯片工艺相关技术已经到位,只欠环评的东风了?杉,3nm单片机芯片工艺的竞争正式打响。20日,台湾台积电3nm单片机芯片工艺环评正式通过,200亿美金投资规模进入了一个新阶段。


3nm单片机芯片工艺“战鼓”敲响


3nm单片机芯片工艺对晶圆厂来说,要攻破技术研发之外,水电的消耗也是一个大问题,3nm单片机芯片工艺水电消耗是不容忽视的问题。特别是在大量使用EUV工艺之后,我们之前在介绍EUV光刻机时就提到过这个问题,由于EUV极其耗电,因为13.5nm的紫外光容易被吸收,导致转换效率非常低,据说只有0.02%,目前ASML的EUV光刻机输出功率是250W,工作一天就要耗电3万度,可见晶圆代工厂耗电量极大。

除了耗电之外,晶圆厂在制造芯片的过程中还需要大量水源,在已经做到80%以上的循环用水的情况下,大型晶圆代工厂日用水量达5万吨,用水总量依然惊人,所以建设半导体晶圆厂对环境方面的压力还是很大的,工艺越先进,问题就越明显。

晶元代工厂巨头们争相追逐先进的工艺制程,但是对于国内本土的晶圆代工厂来说,先进工艺支持需要耗费更多心力。单片机产业晶圆代工厂的前进让芯世界有更多可能。

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